0755-33813537
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1.正向電壓降低，暗(an)光
A：一種是電(dian)極與發光(guang)材料(liao)為歐姆接(jie)觸，但接(jie)觸電(dian)阻大，主要由材料(liao)襯(chen)底低(di)濃度或電(dian)極缺損所致。
B：一種是電(dian)極與材料為非歐(ou)姆接(jie)觸(chu)，主要(yao)發生(sheng)在(zai)(zai)芯片(pian)(pian)電(dian)極制備過(guo)程(cheng)中蒸發第一層電(dian)極時(shi)(shi)的(de)(de)擠壓(ya)印(yin)或夾(jia)印(yin)，分布位(wei)置。 另外封裝過(guo)程(cheng)中也可(ke)能造(zao)成正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)壓(ya)降低，主要(yao)原因(yin)有(you)銀(yin)膠固化不充分，支(zhi)架或芯片(pian)(pian)電(dian)極沾污等造(zao)成接(jie)觸(chu)電(dian)阻(zu)大或接(jie)觸(chu)電(dian)阻(zu)不穩定(ding)。 正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)壓(ya)降低的(de)(de)芯片(pian)(pian)在(zai)(zai)固定(ding)電(dian)壓(ya)測試時(shi)(shi)，通過(guo)芯片(pian)(pian)的(de)(de)電(dian)流小，從(cong)而表現暗點，還有(you)一種暗光(guang)現象是芯片(pian)(pian)本身發光(guang)效率低，正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)壓(ya)降正(zheng)(zheng)(zheng)常(chang)。
2.難壓焊：(主要(yao)有(you)打不粘(zhan)，電極脫落(luo)，打穿電極)
A：打不粘：主要因為(wei)電極(ji)表面氧化或有膠(jiao)
B：有與發光(guang)材(cai)料接(jie)觸不(bu)牢(lao)和加厚焊線層(ceng)不(bu)牢(lao)，其中(zhong)以加厚層(ceng)脫落為主。
C：打穿電極：通常與芯(xin)(xin)片(pian)材料(liao)有關，材料(liao)脆且強度不高(gao)的(de)材料(liao)易打穿電極，一般GAALAS材料(liao)(如高(gao)紅，紅外芯(xin)(xin)片(pian))較GAP材料(liao)易打穿電極，
D：壓焊調試(shi)應從焊接溫度，超聲波(bo)功率(lv)，超聲時間，壓力，金球大小(xiao)，支(zhi)架定位等(deng)進行調整。
3.發光顏色差異：
A：同一張(zhang)芯片發(fa)光顏色有明顯(xian)差異(yi)主要是因為外延片材料問題(ti)，ALGAINP四元素(su)材料采用量子結構很薄，生長是很難保證各區域組分一致。(組分決(jue)(jue)定禁(jin)帶寬(kuan)度，禁(jin)帶寬(kuan)度決(jue)(jue)定波長)。
B：GAP黃綠芯片，發光波長(chang)不會有很大偏(pian)(pian)差(cha)，但是(shi)由于(yu)人眼(yan)對這個(ge)波段顏(yan)色敏感，很容易查出偏(pian)(pian)黃，偏(pian)(pian)綠。由于(yu)波長(chang)是(shi)外(wai)延片材料決(jue)定的，區域越(yue)小，出現顏(yan)色偏(pian)(pian)差(cha)概念越(yue)小，故(gu)在(zai)M/T作業中(zhong)有鄰近選取法。
C：GAP紅色芯片有的發光(guang)(guang)顏色是偏(pian)橙黃色，這是由于其發光(guang)(guang)機理為(wei)間接躍進。受雜質(zhi)濃度(du)影響，電流(liu)密度(du)加大(da)時(shi)，易產生雜質(zhi)能級(ji)偏(pian)移和發光(guang)(guang)飽和，發光(guang)(guang)是開始變(bian)為(wei)橙黃色。
4.閘流體效(xiao)應：
A：是發光二極管(guan)在(zai)正常(chang)電壓下無法導通(tong)，當(dang)電壓加高到一定程度(du)，電流(liu)產生突(tu)變。
B：產生閘流體(ti)現(xian)象(xiang)(xiang)原因(yin)是(shi)(shi)發光材料(liao)外延片生長時出(chu)現(xian)了反(fan)向(xiang)(xiang)夾(jia)層，有(you)此(ci)現(xian)象(xiang)(xiang)的(de)LED在IF=20MA時測試(shi)的(de)正(zheng)向(xiang)(xiang)壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)有(you)隱藏性，在使用過程是(shi)(shi)出(chu)于兩極電壓(ya)(ya)(ya)不(bu)夠大(da)，表現(xian)為不(bu)亮，可用測試(shi)信息儀(yi)器(qi)從晶體(ti)管圖(tu)示儀(yi)測試(shi)曲線，也可以(yi)通過小(xiao)電流IF=10UA下的(de)正(zheng)向(xiang)(xiang)壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)來發現(xian)，小(xiao)電流下的(de)正(zheng)向(xiang)(xiang)壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)明顯偏(pian)大(da)，則可能是(shi)(shi)該問題所致。
5.反向漏電：
A：原(yuan)因：外延材(cai)料，芯片制作(zuo)，器件封裝(zhuang)，測試(shi)一(yi)般5V下反(fan)(fan)向漏電流為(wei)10UA，也可以固(gu)定(ding)反(fan)(fan)向電流下測試(shi)反(fan)(fan)向電壓。
B：不同(tong)類(lei)型的LED反向特性相差(cha)大：普(pu)(pu)綠，普(pu)(pu)黃芯(xin)片反向擊穿可達到一百多伏(fu)，而普(pu)(pu)芯(xin)片則在十幾(ji)二(er)十伏(fu)之間。
C：外延造成(cheng)的(de)反向漏(lou)電主(zhu)要由(you)PN結(jie)內部結(jie)構缺陷所(suo)致，芯片制作過程中側面腐蝕不(bu)夠(gou)或有銀膠(jiao)(jiao)絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液調(diao)配銀膠(jiao)(jiao)。以防止銀膠(jiao)(jiao)通(tong)過毛細現象爬到結(jie)區(qu)。
